纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。

　　1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出砷化镓gs单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。

　　1963年，华夏研制成功第一支半导体激光器，是全球第二个具备这种能力的国家仅仅比米国晚了一年。

　　1965年，华夏研制成功第一个硅基集成电路样品31，这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容，相比米国晚7年。

　　1966年，109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，这与米国的gc公司几乎同时。

　　也在这一年，ib公司托马斯沃森研究中心的研究人员，时年34岁的罗伯特登纳德博士提出了用金属氧化物半导体os晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功11c结构一个晶体管加一个电容的dr，并在1968年获得专利。1968年仙童半导体推出首个256bidr；1969年先进内存系统公司正式推出全球首款1kdr。

　　还是在这一年，华夏科学院半导体研究所制作出第一支硅os场效应晶体管；在江南省，南通晶体管厂成立，并在经过50多年的发展后，成长为国际半导体芯片行业封测巨头之一，也就是后来的通富微电，上市后股票代码002156。

　　1968年，从仙童出走的“三巨头”创立了英特尔公司，如果没有谭振华的乱入，它将成长为全球最大的，同时具备设计和生产半导体芯片能力的科技巨擘；而在华夏的这一年，魔都无线电十四厂研制成功首个os电路osic，拉开了华夏发展os电路的序幕，还是在这一年，华夏永川半导体研究所正式成立，这是华夏唯一的模拟集成电路研究所，后来，这家研究所发展成为电子部4024研究所。

　　1969年，华夏国营永红器材厂749厂成立，1995年整体调迁至天水，多年后，它将成长为另一家国际封测巨头，也就是华天科技，上市后股票代码002185。

　　1970年，英特尔公司推出首款可大规模生产的1kdr芯片c1103，使得1bi只要1美分，从此开创了dr时代。也是在这一年，华夏集成电路产业年产量首次超过100万块，这比米国进入这一个数字仅仅晚了6年。

　　1972年，江阴晶体管厂成立，这家企业今后也将成长为芯片封测行业的国际巨头，也就是长电科技，上市后股票代码600584。

　　如果按照谭振华重生那年的市占率来算，

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